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藝術結型場效電晶體在電路中的應用特性是什麼?
人文「專利解密」晶片製造技術再突破 中芯國際創新半導體器件形成方案
因此,可以使得第二側壁區處的第一阱區掩膜層在執行第一傾斜離子注入時所形成的陰影,在溝道寬度方向和溝道長度方向上均向遠離第一柵極結構底部的溝道移動,從而可以避免第一傾斜離子注入時的離子注入無效,並可有效提高半導體器件的效能...
旅遊英飛凌宣佈最佳化 650V CoolSiC MOSFET
英飛凌推出全新的 CoolSiC 650 V SiC MOSFET 系列,以提供可靠、易於使用且具有成本效益的效能...
旅遊場效電晶體的原理
場效電晶體的柵極電壓決定了電導率,改變施加的電壓可以改變電流導通能力,從而起到放大作用...
農業電子管的認識