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人文「專利解密」晶片製造技術再突破 中芯國際創新半導體器件形成方案
因此,可以使得第二側壁區處的第一阱區掩膜層在執行第一傾斜離子注入時所形成的陰影,在溝道寬度方向和溝道長度方向上均向遠離第一柵極結構底部的溝道移動,從而可以避免第一傾斜離子注入時的離子注入無效,並可有效提高半導體器件的效能...
遊戲科普 | 被“卡脖子”的離子注入機實現國產化,這種裝備有什麼用?
因此,要製造N型半導體,就得用離子注入機將磷、砷等五價元素以帶電離子形態注入矽片...
農業美妄圖壟斷晶片?中國離子注入機問世打破壟斷,卡脖子成過去式
目前世界上最先進的光刻機,是荷蘭阿斯麥生產的裝置,它集合了整個歐洲和美國的晶片技術,應該是全球最高階的光刻機裝置...