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運動中國半導體傳來好訊息!突圍路線基本定調:自建體系,不依賴EUV
再簡單聊一下中期換道路徑,這是未來5-10年中國半導體的發展路徑,簡而言之就是用FD-SOI(全耗盡型絕緣體上矽)技術代替目前主流的FinFET技術...
遊戲GAA電晶體時代即將開啟?
近日,據eenews訊息,三星代工廠流片了基於環柵 (GAA) 電晶體架構的3nm晶片,透過使用奈米片(Nanosheet)製造出了MBCFET(多橋通道場效電晶體),可顯著增強電晶體效能,主要取代FinFET電晶體技術...
運動“一蹴”不等於“而就”,科研成果何必尬捧
中科院此次藉助3奈米的高質量的氧化鉿鋯薄膜,實現了大有潛力的負電容FinFET器件,意義或許如《南華早報》所說,是“與晶片開發前沿的頂級角色正面競爭”...