三星公佈最新路線圖：5年內量產1.4奈米、2030年實現1000層V-NAND

自 2017 年以來，三星每年舉辦一次“技術日”會議，公司釋出新技術、討論行業狀況並公佈未來計劃。在2022 年

Foundry Forum之後舉行的

2022 年技術日

上，三星為其

即將推出的 1。4nm 工藝節點

、記憶體路線圖以及擴大其行業影響力的目標制定了計劃。在本文中，我們將討論會議的一些主要亮點。

著眼於 1.4nm

在三星 2022 年代工論壇上，該公司宣佈了繼續擴充套件其工藝技術的計劃。今年早些時候，三星開始

生產其 3nm 節點

，是業內第一家完成這一壯舉的代工廠。現在，三星已經將目光投向了下一代工藝技術，特別是 2nm 節點。

MOSFET 演進以達到先進節點。圖片由

三星提供

三星計劃到

2025

年實現

2nm

生產。

實現這一規模將需要三星基於環柵

（GAA）

的電晶體技術。

除此之外，該公司預計到

2027

年達到

1。4nm

節點，並計劃在同年將其先進節點產量提高兩倍。

Big V-NAND 和 DRAM 計劃正在進行中

三星還推出了其第八代和第九代 V-NAND 產品以及第五代 DRAM 產品。

該公司目前為 V-NAND 提供 512 Gb 三級單元 （TLC） 產品，但預計今年晚些時候會發布 1 TB TLC 版本。第五代 DRAM 產品將是 10nm （1b） 器件，將於 2023 年進入量產階段。即將推出的其他 DRAM 解決方案包括 32 Gb DDR5 解決方案、8。5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星對其 V-NAND 有很大的計劃，聲稱到 2030 年，它將實現 1000 層的 V-NAND。

為了實現這一目標，三星正在從其當前的

TLC

架構過渡到四級單元

（QLC）

架構，以提高密度並啟用更多層。

三星還將在 DRAM 研發上投入更多資源，研究新的架構和材料，例如 High-K，以幫助將 DRAM 擴充套件到 10nm 以上。該公司打算進一步開發其他 DRAM 解決方案，例如記憶體處理 （PIM）。

三星與整個行業的合作

三星以 2022 年技術日為契機，制定了一些行業外展計劃。

三星的系統 LSI 業務宣佈打算成為

“無晶圓廠的整體解決方案”。

透過這種方式，該集團意味著它將利用其產品，包括 SoC、PMIC 和安全解決方案，整合到一個供客戶使用的平臺中。透過這種方式，三星可以在沒有晶圓廠的情況下為其客戶設計定製解決方案。

三星還透過擴大貿易伙伴關係來擴大其行業影響力。具體來說，該公司將開設三星記憶體研究中心 （SMRC），客戶和供應商可以在該中心在各種應用和環境中測試三星記憶體裝置。該中心將與包括紅帽和谷歌在內的合作伙伴合作設計。