中科大再次立功，光子晶片迎來技術突破，國產晶片正在全面開花

由於我國在晶片領域起步較晚，基礎較為薄弱。所以相比西方發達國家，我國晶片設計、製造水準都相對比較落後。

而近兩年我國在科技產業發展迅速，晶片需求與日俱增。

根據公開資料顯示，國內科技企業進口晶片規模超過了

2萬億，晶片已經成為我國第一大進口商品。

同時，美國對國內不少企業釋出晶片禁令，許多科技企業深受影響，這也讓我國意識到發展國產化晶片產業鏈的重要性。

而在國家大力支援下，我國成功掀起了一股研芯、造芯潮流，除了在基礎的矽基半導體加大研究之外，還在光子晶片領域深入研究，並取得了重大突破。

6月16日訊息

，中科院郭光燦院士院隊就在光量子晶片研究中取得重大進展，首次在拓撲保護光子晶體晶片中實現量子干涉。

這項成果的意義在於，為我國晶片半導體發展提供了一個新的思路，讓我國實現光子晶片更進一步。

要知道，目前的摩爾定律已經到了極限，各國都在積極尋找應對措施，主流方案是找到可替代矽基的半導體材料。

而我國在光子晶片領域實現技術突破，就是證實了繞開摩爾定律的可行性。這也意味著，我國在尋找替代矽基的半導體材料過程中已經走在了前列。

值得一提的是，這並非是我國半導體產業近期唯一的研究成果。事實上，國產晶片正在全面開花。根據中科院6月11日放出的訊息來看，

上海光機所提出了一種快速光學臨近效應修正技術，模擬結果表明，這項新的修正技術擁有較高的修正效率。

不僅如此，在晶片製造的核心裝置光刻機方面，上海微電子研發的28nm光刻機已經透過技術測試，預計將會在今年年底就能進行交付。

並且，在刻蝕機方面，我國也是領先全球。6月15日訊息，

中微半導體首臺

8英寸的刻蝕機裝置已經順利交付客戶生產線，該裝置屬於中微半導體自主研發，可以進行8英寸晶圓的加工。

據悉，中微半導體的工藝節點已經達到5nm，其刻蝕機裝置已經成功進入臺積電的5nm產線。

我國晶片產業在全力突破的同時，還在積極培養半導體產業相關人才。目前國內清華大學、北京大學以及復旦大學等八所高校都已經有所行動。

所以，在國內半導體企業和高校共同努力之下，未來，相信我國會在晶片方面完全自主，打破海外的壟斷。

文/球子 審/JING