您現在的位置是:首頁 > 標簽 > 半導體器件
人文「專利解密」晶片製造技術再突破 中芯國際創新半導體器件形成方案
因此,可以使得第二側壁區處的第一阱區掩膜層在執行第一傾斜離子注入時所形成的陰影,在溝道寬度方向和溝道長度方向上均向遠離第一柵極結構底部的溝道移動,從而可以避免第一傾斜離子注入時的離子注入無效,並可有效提高半導體器件的效能...
因此,可以使得第二側壁區處的第一阱區掩膜層在執行第一傾斜離子注入時所形成的陰影,在溝道寬度方向和溝道長度方向上均向遠離第一柵極結構底部的溝道移動,從而可以避免第一傾斜離子注入時的離子注入無效,並可有效提高半導體器件的效能...