IC Insights:10nm以下工藝的晶片將進入快速增長期

集微網訊息（文/隱德萊希），據IC insights釋出的《2020-2024年全球晶圓產能》報告提供的資料，未來幾年10nm以下工藝的IC產能預計將進入快速增長期，並且到2024年，該製程的晶片將成為該行業月安裝容量的最大佔比。到2020年底，10nm以下的產能預計將佔IC行業總晶圓產能的10%，預計到2022年將首次超過20%，並在2024年增加至全球產能的30%，如下圖：

晶片的製程越來越先進，隨著IC設計製造精度的提高，現代已經量產的晶片中能在晶圓上雕刻出的電路之間的間距越來越短，但帶來的問題是，隨著晶片工藝水平的提升，邊際收益遞減，讓不少晶片設計人員懷疑功效的提升是否能彌補成本的上升。

10nm以下的製程裝置成本已經飆升至讓許多IC供應商無法承受的地步。目前只有三星、臺積電和英特爾有能力承受小於10nm工藝技術的晶圓廠。

同時，設計難題（如繼續縮小DRAM和NAND快閃記憶體單元的體積）以及複雜的基於邏輯的晶片（如ASIC、FPGA和其他高階邏輯裝置）也面臨工藝提升帶來的挑戰。

另外，IC insights的《2020-2024年全球晶圓產能報告》還提供了一些關鍵性資料：

到2020年，預計所有晶圓容量的48%將小於或等於20nm（小於10nm的佔比為10。0%； 10-20nm該數字為38。4%）。此類裝置包括具有等效10nm級技術的高密度DRAM和高密度3D NAND快閃記憶體，高效能微處理器，低功耗應用處理c2器以及基於16/14nm，12/10nm的高階ASIC/ ASSP/FPGA器件，或7/5nm技術。

在低於20nm的工藝中，韓國擁有66%的產能，與其他地區或國家相比，韓國的領先優勢仍然明顯得多。鑑於三星和SK Hynix對高密度DRAM，快閃記憶體和三星應用處理器的重視，該國擁有最先進的專用晶圓產能是順理成章的。

因為蘋果、華為和高通持續使用臺積電的先進工藝服務，這就使得中國臺灣小於20nm工藝的總產能超過35%。儘管如此，28nm、45/40nm和65nm世代繼續為臺積電和聯電等代工廠創造大量業務。

中國大陸大多數小於20nm的產能由其他地區的公司把控，包括三星、SK海力士、英特爾和臺積電，長江儲存和中芯國際是僅有的提供小於20nm製程技術的中國大陸公司。

（校對/零叄）